voprosy_zaochnikam_dlya_ekzamena_bez_otvetov

Вопросы для опроса
1. Чем отличается подстроечный резистор от регулировочного резистора?
2. Каковы достоинства проволочных резисторов и почему они не изготавливаются на большие номинальные сопротивления?
3. Как производится выбор резисторов из стандартного ряда?
4. К чему приводит перегрузка резистора по мощности рассеивания?
5. Какими достоинствами и недостатками обладают биполярные транзисторы?
6. Пояснить систему h-параметров транзистора.
7. Показать рабочую область на входных и выходных характеристиках транзистора.
8. Объяснить назначение и выбор элементов усилительного каскада с ОЭ.
9. Что такое режим насыщения транзистора?
10. Изложить процедуру расчета h-параметров по характеристикам транзистора.
11. Чем отличается схема для исследования транзистора n-p-n типа от схемы для исследования транзистора p-n-p типа?
12. Какие имеются отличия в принципиальных схемах генераторов с независимым возбуждением от генераторов с самовозбуждением?
13. Что означает термин «положительная обратная связь»?
14. Что означают термины «R-параллель» и «С-параллель»? Какие различия в их применении?
15. Когда и почему целесообразней применять RC-автогенератор, а не LC-автогенератор?
16. Каким минимальным коэффициентом усиления (передачи) должен обладать усилитель, чтобы выйти на режим генератора? Назвать цифровое значение.
17. Что означают термины «резонансная частота» и «квазирезонансная частота»?
18. В чем состоит отличие «мягкого» и «жесткого» режимов самовозбуждения автогенератора?
19. Для чего в схему УНЧ вводят разделительные конденсаторы?
20. Почему коэффициент усиления УНЧ на нижних и верхних частотах диапазона заметно меньше, чем на других?
21. Показать, что схема ОЭ усиливает сигнал по напряжению, току и мощности.
22. Что понимается под термином «режим покоя» и как он создается в рассматриваемом усилителе?
23. Назовите недостатки усилителей, выполненных на биполярных транзисторах.
24. Почему схема ОЭ поворачивает фазу входного сигнала на угол ( = 180°?
25. Может ли тринистор работать в режиме динистора?
26. Что будет происходить с тринистором при питании его анодной цепи от источника переменного тока?
27. Какими недостатками обладает схема параметрического стабилизатора напряжения?
28. Может ли тринистор использоваться как ячейка памяти?
29. Какие преимущества дает применение тринисторов взамен электромагнитных реле?
30. Какими способами можно произвести выключение тринистора?


Если все резисторы имеют одинаковое сопротивление R=10 кОм, то эквивалентное сопротивление цепи равно_25_____кОм


Номинальная емкость конденсаторов: С1 = 100 мкФ; С2 = С3 = 50 мкФ. Тогда общая емкость равна ___50__ мкФ

Если амперметр на схеме показывает 4 А, сопротивления резисторов R1 = 20 Ом, R2 = 20 Ом, R3 = 20 Ом, то величина питающего напряжения Uвх равна _120__Вольт.

Если все резисторы имеют одинаковое сопротивление R1 = R2 = R3 = R4 = 12 Ом, эквивалентное сопротивление Rэкв цепи равно ______ Ом

Биполярные транзисторы имеют ___два___ p-n перехода
Выберите один правильный вариант и нажмите кнопку «Далее»
При последовательном соединении конденсаторов их суммарная емкость
увеличивается
уменьшается +
не изменяется
ни один ответ не верен
Сопротивление конденсатора постоянному току равно
бесконечно большой величине +
малой величине
среднеквадратичной величине
ни один ответ не верен
При последовательном соединении конденсаторов их суммарная емкость
Увеличивается
уменьшается +
не изменяется
ни один ответ не верен
При параллельном соединении конденсаторов их суммарная емкость
увеличивается +
уменьшается
не изменяется
ни один ответ не верен
При последовательном соединении резисторов их суммарное сопротивление
увеличивается +
уменьшается
не изменяется
равно среднеквадратичной величине
При параллельном соединении резисторов их суммарное сопротивление
увеличивается
уменьшается+
не изменяется
равно среднеквадратичной величине
Конденсатор не проводит
постоянный ток +
переменный ток
оба варианта верны
Емкостное сопротивление конденсатора находится по формуле
Хс = 2
·f
Xc =
·C
Xc = 1/(2
·fC)+
Электрическая цепь состоит
из источника электрической энергии и проводов +
из резистора и амперметра
из электричества
из протонов
Напряжение обозначается
U +
X
T
A
Напряжение измеряется
в вольтах +
в сантиметрах
в амперах
в градусах
Сила тока обозначается
I+
F
O
R
Сила тока измеряется
в амперах+
в градусах
в джоулях
в вольтах
Сила тока измеряется прибором
Амперметром+
вольтметром
метром
кельвином
Сопротивление обозначается
R+
M
L
P
Сопротивление измеряется
в омах+
в вольтах
в ваттах
Сопротивление измеряется прибором
Омметром+
барометром
вольтметром
ваттметром
Закон Ома имеет вид
I = U/R+
I = U + R
I = U – R
I = U * R
Резистор имеет наибольшее сопротивление номиналом
2R2
120E
K20+
R10
Изменение показаний приборов РV и РА  при перемещении движка реостата R1 влево следующее

V уменьшится, I увеличится
V уменьшится, I уменьшится
V увеличится, I увеличится
V увеличится, I уменьшится

Тема: «Биполярный транзистор. Тиристор»


Транзистор называют биполярным, потому что:
используются носители заряда обоих знаков+
используются два электрода
используются два поля
ни один ответ не верен
Схема включения биполярного транзистора одновременно дает усиление по току и по напряжению
ОБ
ОЭ+
ОК
Эмиттерным повторителем называется схема включения биполярного транзистора
ОБ
ОЭ
ОК+
На рисунке представлено условное графическое изображение



полевого транзистора +
биполярного транзистора
тиристора
диода
В транзисторе p-n-p-типа токи находятся в соотношении:
iк > iэ
iк < iэ +
iк = iэ
Параметр h22 определяется по характеристике транзистора
входной
выходной +
передаточной
иное
Укажите полярность напряжения соответственно на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p
плюс, плюс
минус, плюс
плюс, минус +
минус, минус
Средний слой у биполярных транзисторов называется
сток
исток
база +
коллектор
Полупроводниковый диод содержит p-n переходов
один +
два
три
четыре
Центральную область в полевом транзисторе называют
сток
канал +
исток
база
Полупроводниковый транзистор имеет p-n переходов
один
два +
три
четыре
Управляемые выпрямители выполняются на базе
диодов
полевых транзисторов
биполярных транзисторов
тиристоров +
Нормальный режим работы транзистора p-n-р обеспечивается подключением источников напряжения:

позиция 1 минус Ек, позиция 2 плюс Ек +
позиция 1 плюс Ек, позиция 2 минус Ек
позиция 1 минус Ек, позиция 2 минус Ек
позиция 1 плюс Ек, позиция 2 плюс Ек
В биполярном p-n-p транзисторе коллекторный и базовый токи связаны следующим соотношением
iк > iб
iк < iб +
iк = iб
Для усиления сигнала с малыми искажениями транзистор используется в режиме
активном
насыщения
отсечки
пробоя
Зависимость тока коллектора транзистора при постоянном токе базы – это
выходная характеристика +
входная характеристика
вольтамперная характеристика
амплитудно-частотная характеристика
Прибор, имеющий 2 взаимодействующих р-n перехода, называется:
биполярный транзистор +
стабилитрон
усилитель
синхронизатор
Работа биполярного транзистора основана
на использовании основных носителей заряда +
на использовании интегральных микросхем
на наличии удельного сопротивления
Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый электрическим полем - это:
полевой транзистор +
биполярный транзистор
стабилитрон
диод
База – это
электрод, подключенный к центральному слою +
электрод, подключенный к внешнему слою
место, где хранится важная информация
нет варианта
Эмиттерный переход имеет обратное включение, а коллекторный переход прямое в режиме
инверсном
активном +
насыщения
отсечки
Достоинством схемы с общим коллектором является
большое входное сопротивление +
малое входное сопротивление
малое выходное сопротивление
усиление напряжения

Введите с клавиатуры Ваш вариант ответа и нажмите кнопку «Ответить»
На условном графическом обозначении биполярного транзистора вывод базы обозначен номером ____2_


На условном графическом обозначении биполярного транзистора вывод эмиттера обозначен номером __3____


На условном графическом обозначении биполярного транзистора вывод коллектора обозначен номером ____1__


Выберите один правильный вариант и нажмите кнопку «Далее»
В схеме с общим эмиттером ОЭ происходит
усиление мощности +
усиление только напряжения
усиление только тока
уменьшение напряжения
При определении параметра h11 транзистора напряжение на выходе Uн
Uн = 0
Uн > 0 +
Uн < 0
Схема является

схемой с общим эмиттером
схемой с общей базой
схемой с общим коллектором +
схемой с общим катодом
Анод это
вывод тиристора со знаком «+» +
вывод тиристора со знаком «–»
управляющий вывод тиристора
управляющий вывод триода

Введите с клавиатуры Ваш вариант ответа и нажмите кнопку «Ответить»
Тринистор с управлением по катоду имеет условное графическое обозначение__4____

1 2 3 4

Тринистор с управлением по аноду имеет условное графическое обозначение__3____


1 2 3 4

Фотодиод имеет условное графическое обозначение____4__

1 2 3 4

Выберите один правильный вариант и нажмите кнопку «Далее»
Параметр h11 определяется по характеристике биполярного транзистора
Входной +
выходной
рабочей
передаточной
Вероятность теплового пробоя транзистора увеличивается
при увеличении количества резисторов в схеме усилителя
при увеличении температуры окружающей среды +
при ударе вследствие падения схемы
при уменьшении рабочего напряжения
Для запирания тиристора необходимо
снять напряжение, подаваемое на управляющий электрод +
снять напряжение, подаваемое на анод
снять напряжение, подаваемое на катод
другие варианты
Схема для исследования транзистора n-p-n типа и схема для исследования транзистора p-n-p типа отличается


каким полюсом подключается источник питания Ек +
как подключается на выход нагрузка
на вход схемы подается напряжение > 5 вольт
как подключаются измерительные приборы
Для того чтобы запереть тиристор, нужно:
А. Уменьшить рабочий ток до значения I < Iуд путем понижения Uпит
Б. Задать в цепи управляющего электрода импульс тока противоположной полярности.
верны оба ответа А и Б +
верен только ответ А
верен только ответ Б
не верен ответ ни А, ни Б.
На рисунке изображена

Пусковая характеристика тринистора +
Входная характеристика транзистора
Выходная характеристика диода
Входная характеристика усилителя
На рисунке обозначена структура


тиристора-тринистора
симистора +
диода
биполярного транзистора
Тиристор предназначен
для усиления сигнала в электрических цепях
в качестве электрических ключей в схемах переключения электрических токов +
для выпрямления напряжения
для усиления мощности
Тиристор имеет p-n-переходов
менее одного
один
два
три и более +
Введите с клавиатуры Ваш вариант ответа и нажмите кнопку «Ответить»
Диод имеет условное графическое обозначение___1___

1 2 3 4

Выберите один правильный вариант и нажмите кнопку «Далее»
Тиристор, не имеющий управляющего электрода, называется:
диодный тиристор +
триодный тиристор
симистор
тиристор-тринистор
Ток удержания в тиристоре является величиной
постоянной +
зависит от напряжения, подаваемого на анод
зависит от напряжения, подаваемого на катод
зависит от напряжения, подаваемого на управляющий электрод



Дана импульсная последовательность типа «МЕАНДР». Частота импульсной последовательности равна_____ Гц

Дана импульсная последовательность типа «МЕАНДР». Период импульсной последовательности равен_____ мс

Вывод «Прямой статический вход» логического элемента обозначен на рисунке______

1 2 3 4 5 6
Вывод «Прямой динамический вход» логического элемента обозначен на рисунке _______

1 2 3 4 5 6
Вывод «Инверсный статический выход» логического элемента обозначен на рисунке______

1 2 3 4 5 6
Выберите один правильный вариант и нажмите кнопку «Далее»
Для логической операции, представленной в таблице истинности, определить УГО логического элемента
А
B
F

0
0
0

0
1
0

1
0
0

1
1
1











Для логической операции, представленной в таблице истинности, определить УГО логического элемента
А
B
F

0
0
0

0
1
0

1
0
0

1
1
1










Для логической операции, представленной в таблице истинности, определить УГО логического элемента
А
B
F

0
0
0

0
1
1

1
0
1

1
1
1










Для логической операции, представленной в таблице истинности, определить УГО логического элемента
А
B
F

0
0
1

0
1
0

1
0
0

1
1
0










Для логического элемента определить таблицу истинности

А
B
F

0
0
0

0
1
1

1
0
1

1
1
0


А
B
F

0
0
0

0
1
1

1
0
1

1
1
1


А
B
F

0
0
1

0
1
0

1
0
0

1
1
0







Для логического элемента определить таблицу истинности

А
B
F

0
0
0

0
1
0

1
0
0

1
1
1


А
B
F

0
0
0

0
1
1

1
0
1

1
1
1


А
B
F

0
0
1

0
1
0

1
0
0

1
1
0






Для логического элемента определить таблицу истинности

А
B
F

0
0
0

0
1
0

1
0
0

1
1
1


А
B
F

0
0
1

0
1
1

1
0
1

1
1
0


А
B
F

0
0
0

0
1
1

1
0
1

1
1
0







Основными параметрами системы логических элементов являются:
уровни сигналов для представления логических 0 и 1
помехоустойчивость
рассеиваемая мощность
быстродействие
все перечисленное
Для логического элемента выбрать математическое обозначение логической операции
F = AB
F = A ( B
F = A ( B
13 EMBED Equation.3 1415
Для логического элемента выбрать математическое обозначение логической операции
13 EMBED Equation.3 1415
F = AB
F = A ( B
13 EMBED Equation.3 1415
F = A ( B
Для логического элемента выбрать математическое обозначение логической операции
13 EMBED Equation.3 1415
F = AB
F = A ( B
13 EMBED Equation.3 1415
F = A ( B
Для логического элемента выбрать математическое обозначение логической операции
13 EMBED Equation.3 1415
F = AB
F = A ( B
13 EMBED Equation.3 1415
При помощи данной схемы реализуется логическая операция

ИЛИ
НЕ
ИЛИ-НЕ
И-НЕ
При помощи данной схемы реализуется логическая операция

И
НЕ
ИЛИ-НЕ
И-НЕ

При помощи данной схемы реализуется логическая операция

И
НЕ
ИЛИ-НЕ
И-НЕ
При помощи данной схемы реализуется логическая операция


ИЛИ
НЕ
ИЛИ-НЕ
И-НЕ
Какая схема реализует булево выражение 13 EMBED Equation.3 1415





Выберите результат минимизации, если использовалась карта Карно, а также были выполнены склейки:

F = BC + 13 EMBED Equation.3 1415
F = 13 EMBED Equation.3 1415+ AC
F = AB + AC
F = BC + C
Выберите результат минимизации, если использовалась карта Карно, а также были выполнены склейки:

F = BC + 13 EMBED Equation.3 1415
F = B + AC
F = AB + 13 EMBED Equation.3 1415
F = BC + AC
Выберите результат минимизации, если использовалась карта Карно, а также были выполнены склейки:

F = BC + 13 EMBED Equation.3 1415
F = B + AC
F = AB + 13 EMBED Equation.3 1415
F = BC + AC
Выберите несколько правильных вариантов и нажмите кнопку «Далее»
Какие тождества в алгебре логики называются формулами де Моргана
13 EMBED Equation.3 1415
13 EMBED Equation.3 1415
13 EMBED Equation.3 1415
13 EMBED Equation.3 1415
Упрощение логических функций можно провести, используя
карты Карно
диаграммы Вейча
формулы де Моргана
закон Ома
Выберите один правильный вариант и нажмите кнопку «Далее»
Порядок действий в алгебре логики
сначала выполняется операция НЕ, затем И, затем ИЛИ
сначала выполняется операция И, затем НЕ, затем ИЛИ
сначала выполняется операция НЕ, затем ИЛИ, затем И
сначала выполняется операция ИЛИ, затем И, затем НЕ
Диаграмма Вейча для двух переменных содержит
4 клетки
2 клетки
8 клеток
16 клеток
Диаграмма Вейча для трех переменных содержит
4 клетки
2 клетки
8 клеток
16 клеток








13PAGE 15


13PAGE 141815




Рис2 ФОСРис1 ФОСРис9 ФОСРис6 ФОСРис5 ФОСРис5 ФОСРисунки к зачету3Задачи 96-100_1Задача 79Задача 79Root EntryEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation NativeEquation Native Заголовок 1 Заголовок 415

Приложенные файлы

  • doc 18397523
    Размер файла: 654 kB Загрузок: 1

Добавить комментарий