Shpor_elektron_gotovy


h11 көрсеткішінің анықтамасы:<variant>
n-p ауысуының КЗО-ғы (кеңістіктік заряд облысы) көлемді зарядтың өрісінің қалыптасуы:<variant> донор және акцептор қоспаларының теңестірілмеген зарядтарымен
p-n ауысудың кері кернеуінің өсуі (модуль бойынша) кезінде тосқауылдық сыйымдылықтың өзгерісі:<variant> сызықты заң бойынша азаяды
p-n ауысуының ВАС суреттеуі, бұл:<variant>
R1 шамасын үлкейткенде, сұлбадағы өзгеріс:
<variant> транзистордың жұмыс нүктесінің ығысуы азаяды
Rк резисторын тұйықтап қойғанда, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгеруі:<variant> күшейткіштің күшейту коэффициенті нөлге тең болады
Rк шамасын үлкейткенде, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгерісі:
<variant> үлкейеді
Автотербелісті мультивибратор тепе-теңділігінің күйі:
<variant> мұнда екеуі де орнықсыз
аз айнымалы сигнал кезінде p-n ауысудың эквиваленттік сұлбасы:
<variant>

Амплитуда-жиіліктік сипаттама (АЖС) – күшейту коэффициентінің жиіліктен тәуелділігі суретте көрсетілген
<variant>
Аналогты электрмеханикалы аспаптарда қарсы әрекет етуші момент жасалады:
<variant> шиыршықты серіппенің көмегі арқылы
Фазалы ығысу бұрышын өлшеу үшін электромеханикалық фазометрлердің арасынан жиі қолданылады:
<variant> магнитэлектрлі логомерлі фазометрлер

Арнаның ұзындығы:
<variant> n-текті немесе p-текті бастау және құйма облыстарының ара қашықтығы
Аспапта ауыстырып қосу нүктесінен кейін кернеуді төмендеткен кезде токтың өсуі, dI/dU тең теріс көбейтіндісінің пайда болу себебі:
<variant> теріс дифференциалдық кедергі
Аспапта вольтамперлік сипаттамасының кері тармағы бар және ол тура тармағына шағылысқан симметриялы, айландыру жиілігін реттеу үшін қолданылады...
<variant> симмистор
Аспаптардың негізгі қателігі:
<variant> абсолютті қателік

Атауы грек тілінен (thyra – есік және резистор) алынған, монокристалдағы төрт қабатты құрылымды, екі тұрақты күйі бар, үш немесе одан да көп түзеткіш электронды-кемтіктік ауысуы бар, бір күйден екіншісіне басқару импульсі арқылы ауысып қосыла алатын жартылай өткізгіш аспапты:
<variant> тиристор
бақылау оптроны бар кернеу тұрақтандырғышы сұлбасында ...орындалады.

<variant> светодиодпен өндірілетін сәулелену қуаты
Бастаудан құймаға дейін арнасы болатын аспаптың жұмыс параметрінің облысы:
<variant> ішкі тиектік облыс
Бейнеленген күшейткіш:

<variant> ортақ бастаумен қосылған күшейткіш каскад
Берілген сигналды сандық код түріне түрлендіретін өлшеу-есептегіш кешеннің негізгі бөлшегі:
<variant> аналогты-сандық түрлендіргіш
биполярлық транзистордың активті жұмыс істеу режимінде p-n ауысудың дифференциалдық кедергілері келесі түрде сипатталады:
<variant> эмиттерлік ауысудың кедергісі аз, ал коллекторлық ауысудікі көп
Биполярлық транзистордың базасының енін тар етіп жасайды, себебі:
<variant> минимал база тогын алу үшін
биполярлық транзистордың коллектор тогы пайда болатын заряд тасымалдаушылар:
<variant> база аймағында және коллектор аймағындағы бар негізгі емес заряд тасымалдаушылар

Биполярлық транзистордың қосылу сұлбалары:
<variant> ОЭ, ОБ, ОК
биполярлық транзистордың ортақ эмиттермен қосылған сұлбасы үшін h21 көрсеткіші келесі түрде анықталады:
<variant> h21= dIК/dIБ, UКЭ = const болғанда
биполярлық транзистордың статикалық сипаттамалары:
<variant> кіріс
Бұл аспап екі тұрақты күйде бола алады – жабық немесе ашық, жабық күйінде оның кедергісі үлкен болып, ол аз ғана ток өткізеді, ал ашық күйінде оның кедергісі аз, ал одан ағатын ток үлкен болады, бұл
<variant> тиристор
Вин көпірінің фаза жиіліктік және амплитудалы жиіліктік сипаттамасы:

291084026543000<variant>
Вин көпірінің фазалық ығысуы:

<variant> 0.
Дәлдік бойынша ерекшеленетін аспаптар:
<variant> эталондық
Динистордың құрылымының ортаңғы ауысуы жабық, ал шеткі ауысулары ашық болатын кезде, сипаттамадағы аралық:
<variant> ОА
Динистордың сипаттамасынан теріс дифференциалдық кедергісі бар аралық:
<variant> АВ
Диодтық оптронның шартты белгіленуі:
<variant>
диодтың вольт-амперлік сипаттамасы(Шокли теңдеуі):
<variant>
Дифференциалды күшейткіштің синфазалық кернеуінің күшейтілуі:
<variant> күшейтпейді, дифференциалды күшейткіш кіріс сигналдарының айырымын, ал синфазалық бірдей сигналдарды күшейтеді
Дифференциалдық күшейткіштегі синфазалық кернеу
Дифференциалдық күшейткіштің жоғары кіріс кедергісі бар элементтік базасы:
<variant> қондырылған арналы МДЖ – транзисторлары
Диффузиялық ұзындық:
<variant> диффузиялық қозғалыс кезіндегі бос жүрістің ұзындығы

Егер ЖЖК алшақтатқыш сыйымдылықты үлкейтетін болса, амплитудалы жиіліктік сипаттаманың өзгерісі:
<variant>
Егер ТЖК алшақтатқыш сыйымдылықты үлкейтетін болса, амплитудалы жиіліктік сипаттаманың өзгерісі:
<variant>
Егер элементтің кедергісі токтан немесе келтірілген кернеуге байланысты болса, онда мұндай элементтің аталуы:
<variant> сызықты
Жартылай өткізгіш аспаптың 1 шықпасының атауы:
<variant> эмиттер
Жартылай өткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың бағытталған қозғалысының негізгі мүмкін болатын түрлері:
<variant> диффузиялық және дрейфтік
жартылай өткізгіштердің тыйым салынған аймағының ені:
<variant> 3 эВ-тен аз, тыйым салынған аймақтың ені ~ 0.3 эВ-те аз жартылай өткізгіштер тар аймақты жартылай өткізгіштер деп аталады
Идеалды ОК-і сипаттайтын көрсеткіштер:
<variant> Rкір → ∞
Идеалды операциялық күшейткіштің күшейту коэффициентінің мәні:
<variant>
Идеалды операциялық күшейткіштің шығыс кедергісінің мәні:
<variant> нөлге жақын

Квазирезонанстық жиілікте үш буынды RC-тізбектерінің (R-параллель) фазалық ығысуы:
<variant> 180
Квазирезонанстық жиілікте үш буынды RC-тізбектерінің (С -параллель) фазалық ығысуы:
<variant> -180
Кедейленген қабат қалыңдығының үлкеюі ... болады:
<variant> тиек пен төсем, құйма мен бастау арасында туындайтын екі электрлік өрістердің бір-біріне әсерінен
Кедергі термометрлерінің көмегімен температураны өлшейтін сұлба:
<variant> автоматты көпірдің сұлбасы
Кернеу өлшейтін аспап:
<variant> мультиметр
Кері байланыс (КБ) тізбегі орындайтын функция:
<variant> шығыс кернеудің бір бөлігі күшейткіштің кірісіне қайта оралады
Кері ығысудың жарықтық ағыны болмаған кезінде фотодиод арқылы токтың жүруі:
<variant> жарық ағыны болмаған кезде фотодиод арқылы ток жүрмейді
коллекторлық ауысудың енін эмиттерлік ауысудың еніне қарағанда үлкен етіп жасайды, себебі:
<variant> эмиттерден келген барлық тасымалдаушыларды жинау үшін
коллекторлық кернеу мен базаның қалыңдығын модуляциялау деп:
<variant> коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық кернеудің өзгеруі кезінде базаның қалыңдығының өзгерісі
коллекторлық кернеумен базаның қалыңдығын модуляциялау дегеніміз, бұл
<variant> коллекторлық ауысудың енінің өзгеру салдарынан коллекторлық кернеу өзгерген кезде базаның қалыңдығының өзгерісі
кремнилік аспаптың құрылымындағы сапфирлі кремний қышқылының (SiO2) қолданысы:
<variant> диэлектрик ретінде
Күтуші мультивибратордың шығыс импульстерінің ұзақтығының анықталуы:
<variant> сұлбаның параметрлері
күшеймейді
Күшейткіштерден тұратын, автоматты басқару жүйесін талдау және синтездеу үшін қолданылатын формулалардың атаулары:
<variant> ток бойынша күшейту коэффициентінің логарифмдік түрде жазылуы
Күшейткіштердің жіктелуі:
<variant> күшейтілген сигналдардың тегі бойынша
Күшейткіштің негізгі көрсеткіштері:
<variant> күшейту коэффициенті
кіріс кедергі болып табылатын h – параметр:
<variant> h11
Қорек кернеуі Eқ мәндерінің синфазалық кернеудің максималды жіберілетін мәндеріне әсері:
<variant> әсер етпейді
Қуат күшейткішінің сұлбасындағы С0 сыйымдылығының атауы:






+ Eк
- Eк

R1
R2
Д1
Д2
Т1
Т2
Uкір

Со






+ Eк
- Eк

R1
R2
Д1
Д2
Т1
Т2
Uкір

Со
<variant> алшақтатқыш

Құйма мен бастаудың n+ облысын қалыптастыру үшін қолданылатын қоспалар:
<variant> V топтың элементтері
Құрылғыны сипаттайтын көрсеткіштер:
<variant> Кернеу бойынша күшейту коэффициенті

Магниттік өрістің параметрлерін анықтауға қолданылатын өлшем бірлік:
<variant> метр
Мультивибратор оң полярлықта импульстерді өндіреді, шығыс импульстерінің полярлығын өзгерту үшін сұлбада жасалынатын қажеттілік:

<variant> диодты кері бағытта аудару
Мультивибратор сұлбасында C1конденсаторының атауы:

<variant> уақыт беруші
Мультивибратор сұлбасында D2 диодының аталуы:

<variant> алып тастаушы
Мультивибратор шығыс импульстері ұзақтығының тәуелділігі:

<variant> С1 конденсатор зарядының уақытынан
Мультивибратор сұлбасында R резисторының аталуы:

<variant> уақыт беруші
Негізгі өлшем бірліктердің туындысы:
<variant> Ом
ОБ немесе ОЭ қосылу сұлбаларында, токты тура беру коэффициенті жиілікке қатты тәуелді:
<variant> ОЭ қосылу сұлбасында
ОБ сұлбасымен қосылған транзистордың h21 токты беру коэффициентінің анықтамасы:
<variant>
ОК (операциялық күшейткіш) құрылғысының негізгі кірістері мен шығыстары:

<variant> 1 кіріс – терістемейтін кіріс, яғни шығыс сигнал кіріспен фаза бойынша сәйкес келеді
ОК аналогтық сұлбалардағы теріс кері
байланысты (ТКБ) пайдаланудың себептері:
<variant> күшейтудің динамикалық диапазонын арттыру
ОК кірісіндегі диодтарды қондыру ... керек
.
<variant> ОК-ті кірістегі тесілуден сақтау үшін
ОК синфазалық сигналының әлсіреу коэффициентінің әсері, бұл:
<variant> эмиттерлік токтың тұрақтылығы

ОК синфазалық сигналының әлсіреу коэффициенінің тәуелділігі болады.
<variant> эмиттерлік токтың тұрақтылығынан
ОК теңгерімсіздігінің себептері:
<variant> ОК каскадтарындағы транзистор параметрлерінің бірдей еместігі

ОК-гі гиратор:
<variant> индуктивтілік эквиваленті
ОК-гі ығысудың шығыс кернеуі:
<variant> Uкір=0 кезінде ОК шығысындағы кернеу
Оптожұптың қабылдағышы ретінде ... қолданған дұрыс.
<variant> фоторезисторды
ортақ эмиттермен қосылған биполярлық транзистордың қосылу сұлбасында, сипаттаманы түсіру көрсетілген
.
<variant> шығыс сипаттаманы
ортақ эмиттермен қосылған биполярлық транзистордың қосылу сұлбасында сипаттаманы түсіру көрсетілген:

<variant> кіріс сипаттаманы
ОЭ сұлбасы бойынша қосылған транзистордың h21 ток беру коэффициентінің анықтамасы:
<variant>
ОЭ сұлбасымен қосылған n-p-n текті транзистордың активті режимдегі ауысуларының ығысуы:
<variant>
Өлшем орындалады тек қана:
<variant> нақты жолмен
Өлшеудің әдістері:
<variant> біріккен
Өлшеуіш техниканың құрама бөлшектері:
<variant> өлшеуіш аспап
өрнектелмеген р-жартылай өткізгіштіңФерми деңгейі мына жерде орналасады:
<variant> тыйым салынған аймақта, валенттік аймақтың жоғары бөлігіне жақын
өрістік транзистордың кернеуді күшейтуге арналған және қасиеттерін сипаттайтын көрсеткіштері:
<variant> құйма тиектік сипаттаманың тіктігі S (өрістік транзистордың сипаттамасының тіктігі) :


Өрістік транзистордың тіктігінің анықтамасы:
<variant> QUOTE
өте жақсы жоғары жиілікті қасиеттері бар, дрейфті немесе дрейфсіз транзисторлар:
<variant> дрейфті
Пайда болу себебіне байланысты қателіктер бөлінеді:
<variant> объективті
Резисторлық оптронның шартты белгіленуі:
<variant>
Реттелетін ұзақтығы мен қуыстылығы бар импульстік сигналдарды қалыптастыруға арналған құрылғы:
<variant> таймер
Са1 және Са2 сыйымдылықтарын азайтсақ, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгеруі:
<variant> төменгі жиілік аймақтарында азаяды
салынған аспаптың құрылымы бұл:
<variant> биполярлық транзистор
Сәуле шығарғыш диодтың әрекеті ... негізделген.
<variant> ижекциялық электролюминисенция құбылысына
Светодиод қоректену көзіне шектеуіш кедергі арқылы ... үшін қосылады.
<variant> жұмыс токты шектеу үшін
Светодиодтың жарықтық сипаттамасы:
<variant>
СИ жүйесіндегі негізгі өлшем бірліктер:
<variant> ампер, кельвин, моль, кандела, радиан, стерадиан
Сигналдық тізбектердің немесе коммутацияның аз тогы бар тізбектердің гальваникалық ағытылуы үшін қолданылатын аспаптар:
<variant> оптрондар
Суретте бейнеленген сипаттама:

<variant> АЖС
Суретте бейнеленген сұлба:

<variant> екі каскадты реостатты кернеу күшейткіші
Суретте бейнеленген сұлба:

<variant> екі тактілі қуат күшейткіші
Суретте бейнеленген сұлба:

<variant> эмиттерлік қайталағыш
Суретте бейнеленген, электрлік сигналдарды күшейтуге арналған құрылғы:
<variant> екі p-n ауысуы бар, токты, кернеуді, қуатты күшейтуге арналған аспап
Суретте көрсетілген оптожұп:

<variant> диодтық оптрон
Суретте көрсетілген сұлба, бұл -
<variant> дифференциалды күшейткіш
Суретте көрсетілген сұлба:

<variant> кернеу қайталағышы
Суретте көрсетілген сұлба:

<variant> компаратор
Суретте көрсетілген сұлба:

<variant> күтуші мультивибратор
Суретте көрсетілген сұлба:

<variant> терістемейтін күшейткіш
Суретте көрсетілген сұлба:

<variant> Шмидт триггері
суретте көрсетілген транзистор ... деп аталады <variant> қондырылған p-арналы МДЖ-транзистор

Суретте көрсетілген транзистор ... деп аталады
<variant> p-n-ауысуымен басқарылатын және n-арналы өрістік транзистор
суретте көрсетілген транзистордың дұрыс жауабы:
<variant> индукцияланған n-арналы МДЖ-транзистор
Суреттегі көрсетілген сұлба:

<variant> терістейтін күшейткіш
Сұлбада бейнеленген күшейткіштің атауы:

<variant> бастау тізбегінде ығысу көзі бар күшейткіш каскад
Сұлбада диодтардың қолданылуы:

<variant> транзисторлардың жұмыс нүктесін ығыстыруды тудыру үшін
Сұлбада салынған ток күшейткіші:

<variant> ортақ эмиттермен қосылған қарапайым күшейткіш каскад
Сызықтық сұлба, бұл:
<variant> кіріс және шығыс кернеу сигналдары сызықтық оператормен байланысқан сұлба

Сыйымдылық ретінде қолданылатын диод:
<variant> варикап
Сэ конденсаторын және Rэ резисторын тұйықтаған кезде, күшейткіштің күшейту коэффициентінің өзгерісін суреттеңіз:

<variant> күшейткіштің күшейту коэффициенті үлкейеді
Табалдырықтық кернеу:
<variant> Si-SiO2 жазығының қасындағы электрондар концентрациясы төсемдегі кемтіктер концентрациясынан 2 есеге көп кезіндегі кернеу
Талап етілген параметрлері бар тікбұрышты қалыптағы импульстерді қалыптастырудың электрондық түйіні:
<variant> мультивибратор
талшықтық жарық өткізгіш, бұл –
<variant> оптикалық мөлдір шыныдан жасалған жіңішке жіп.
температураның өсуімен жартылай өткізгіштегі қоспа диффузиясы процесінің өту жылдамдығы:
<variant> өседі
Теріс кері кернеу ... мүмкіндік береді.
<variant> тура сызықты кесінділі апроксимацияланған қисықты жасауға
Терістейтін күшейткіштің кернеу бойынша күшейту коэффициенті:
<variant> Kкб= - (Rкб / R)
ТЖК жоғарғы жиіліктердегі амплитудалы-жиіліктік сипаттамасындағы құлаудың түсіндірмесі:
<variant> сұлбаның төмен кіріс кедергісімен
Тиристор мен симмистордың вольт-амперлік сипаттамасы:
<variant>
тиристорды жабық күйге басқару тогы арқылы жеткізуге болады ма:
<variant> болады, егер басқару электродына теріс импульс берсе

тиристордың ауысып қосылуын басқаруды қамтамасыз ететін, сұлба:
<variant> бұл р – текті басқару электродына кернеу түсіре отырып, ауыстырып қосу кернеуін реттеуге болатын сұлба
Тиристорлық оптожұптарды ... қолданған дұрысырақ.
<variant> үлкен қуатты жоғары вольтты тізбектерден басқарудың логикалық тізбектерінің гальваникалық ағытылуын сақтау үшін
ТКБ бар күшейткіштің кіріс кернеуі мен кері байланыс кернеуінің арасындағы фазалық ығысу:
<variant> 180
токты беру коэффициенті болып табылатын,h-параметр:
<variant> h21
транзисторды заряд тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод, ол:
<variant> эмиттер
тринисторды ауыстырып қосу мезетін басқару іске асады –
<variant> базалық аймақтарға тасымалдаушыларды енгізу арқылы
туннельдік диодтың вольтамперлік сипаттамасы:
<variant>
Тұрақты ток электронды вольтметрдің қарапайым сұлбасының құрамында болады:
<variant> магнитэлектрлік өлшеу механизмі
Үш немесе оданда көп р-n-ауысуы бар, вольт-амперлік сипаттамасында теріс дифференциалдық кедергісі бар жартылай өткізгіш аспап бұл –
<variant> тиристор
Үш электродты жартылай өткізгіш, құрылымы екі электронды-кемтіктік ауысудан тұратын аспап бұл –
<variant> биполярлық транзистор
Фотоөткізгіштік әсері, яғни жарық кезінде жартылай өткізгіштің кедергісінің өзгеруінде қолданылатын оптожұп:
<variant> резисторлық оптрон
Халықаралық бірліктер жүйесіне (БЖ) кіретін бірлік:
<variant> Метр
Халықаралық бірліктер жүйесінің құрамында бар:
<variant> жеті негізгі бірлік
Шартты белгіленулер: индукцияланған n-арналы және бір ауысулы транзистор
<variant>
Ішкі фотоэффект кезінде болатын жағдайлар:
<variant> зат электрондарының қозуы
Электр өлшеу бірлігі:
<variant> вольт
Электрмагниттік өрістің параметрлерін анықтауға қолданылатын өлшем бірлігі:
<variant> Н/Кл
Электр параметрлерді анықтау үшін қолданылатын өлшем бірлігі:
<variant>Ампер
Электрлік және магниттік шамалардың өлшемдер аймағына негізгі бірлік ретінде кіреді:
<variant> Миллиампер
Электрлік, механикалық және жылулық шамалардың біріккен өлшем бірлігі:
<variant> Ватт
электрондардың дрейфті тогының тығыздығы:
<variant>

эмиттер дегеніміз –
<variant> базаға негізгі заряд тасымалдаушылардың инжекциясы болатын транзистор аймағы

Приложенные файлы

  • docx 17950286
    Размер файла: 364 kB Загрузок: 1

Добавить комментарий