Kursovy dodelat


Зм.
Лист
№ Документа
Підпис
Дата
Арк.
3
К232.090101.000 ПЗ
Розробив
Перевірив
Семенюк Н.Ю.
Радіоприймач
Пояснювальна записка
Літ.
Аркушів
56
ДВНЗ «Чернівецький політехнічний коледж»
ЗМІСТ
Анотація…………………………………………………………………….…….4
Вступ………………………………………………………………………………5
1Попередній розрахунок ..……………………………………………………….7
1.1Вибір структурної схеми приймача …………………………………………7
1.2 Розрахунок структурної схеми тракту радіо частоти тракту радіо- частоти ……………………………………………………………………………8
1.2.1 Вибір проміжної частоти …………………………………………………8
1.2.2 Вибір числа під діапазонів і їх меж ……………………………………10
1.2.3 Вибір підсилювального елементу для тракту радіочастоти та визначення його високочастотних параметрів ……………………………………………11
1.2.4 Вибір блоку змінних конденсаторів …………………………………..20
1.2.5 Розподіл послаблення по трактах приймача …………………………..22
1.2.6 Знаходження частотних спотворень по трактах радіоприймачів ……23
1.2.7 Визначення кількості контурів та їх еквівалентної добротності в тракту- радіо частоти ………………………………………………………………….23
1.3 Визначення числа і параметрів вибіркових систем тракту проміжної частоти ………………………………………………………………………….28
1.3.1Розрахунок фільтру зосередженої селекції …………………………….28
1.3.2 Розрахунок підсилення до детектора …………………………………..33
1.4 Розрахунок структурної схеми тракту низької частоти …...……………39
1.4.1Вибір типу електродинамічного гучномовця ………………………….39
1.4.2 Вибір типу транзистора вихідного каскаду підсилювача низької частоти ………………………………………………………………………… 40
1.4.3 Визначення кількості каскадів попереднього підсилення ……………41
2 Кінцевий розрахунок ………………………………………………………. 45
Література ………………………………………………………………………56
АНОТАЦІЯ
В даному курсовому проекті необхідно розрахувати радіомовний радіоприймальний пристрій з амплітудною модуляцією: вибрати тип схеми, розрахувати підсилювальні елементи, кількість вибіркових систем у тракті радіо та проміжної частоти відповідно до підсилювальних каскадів відповідно до технічного завдання.
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
5
К232.090101.000 ПЗ
ВСТУП
В даному курсовому проекті «Розрахунок радіомовного приймача амплітудно-модульованих сигналів», розраховую радіомовний приймач амплітудно-модульованих сигналів. Радіо - це результат робіт і відкриттів ряду вчених і інженерів, що вивчають природу електромагнітних процесів. Радіоприймач- пристрій, призначений для приймання електромагнітних хвиль радіодіапазону, тобто з довжиною хвилі від декількох тисяч метрів до частин міліметра, з наступним перетворенням інформації, яка у них зберігається до вигляду, в якому вона може бути використана.
Радіоприймачі поділяються на такі категорії: - за основним призначенням: радіомовні, телевізійні, зв'язкові, пеленгаційної, радіолокаційні, для систем радіоуправління, вимірювальні та ін.;- по роду роботи: радіотелеграфні, радіотелефони, фототелеграфні і т. д.;- по виду модуляції: амплітудна, частотна, фазова;- за діапазоном хвиль:
міріаметрові хвилі - 100-10 км, (3кГц-30кГц )
кілометрові хвилі - 10-1 км, (30кГц-300кГц)
гектометрові хвилі - 1000-100 м, (300кГц-3МГц)
декаметрові хвилі - 100-10 м, (3МГц-30МГц)
метрові хвилі - 10-1 м, (30МГц-300МГц)
дециметрові хвилі - 100-10 см, (300МГц-3ГГц)
сантиметрові хвилі - 10-1 см, (3ГГц-30ГГц)
міліметрові хвилі - 10-1 мм, (30ГГц-300Ггц)- за принципом побудови приймального тракту: детекторні, прямого посилення, прямого перетворення, регенеративні, супергетеродинні з одноразовим, дворазовим або багаторазовим перетворенням частоти;- за способом обробки сигналу: аналогові і цифрові;Змн.
Арк.
№Документа
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
6
К232.090101.000 ПЗ
- по виконанню: автономні і вбудовані;- за місцем установки: стаціонарні, переносні;- за способом живлення: мережеве, автономне або універсальне.
Найбільш розповсюджена, для радіомовних приймачів, супергетеродинна схема, так як супергетеродинний приймач легкий в налаштуванні і основне підсилення сигналу відбувається на проміжній частоті. За рахунок цього супергетеродинний приймач має значну перевагу над іншими радіоприймачами.
Змн.Змн.
Арк.Арк.
№Документа_№Документа_
Підпис_Підпис_
Дата_Дата_
Арк._
Арк._Арк._
Арк._
7
4
К232.090101.000 ПЗ
К232.090101.000 ПЗ
Попередній розрахунок
1.1 Вибір структурної схеми приймача
Так як, приймач радіомовний то найчастіше використовується супергетеродинні схеми, а також тому що в завданні дано вибірковість по сусідньому, дзеркальному каналах та проміжній частоті тому вибрали супергетеродину схему.
Переваги:
1) спрощується налаштування;
2) основне підсилення відбувається на проміжній частоті яка є меншою за частоту вхідного кола. Спотворень відносно менше.
Недоліки:
1) наявність сусідніх каналів (це близькі частоти до робочої, щоб їх позбутися необхідно використовувати контури вхідного кола ВЧ, з високою добротністю).

Рисунок 1 - Структурна схема супергетеродинного радіоприймача
Принцип роботи схеми :
антена – приймає електромагнітні хвилі і перетворює їх в електромагнітний сигнал;
вхідне коло – налаштовує приймач на необхідну частоту
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
8
К232.090101.000 ПЗ
підсилювач радіочастоти (ПРЧ) – підсилює до необхідного рівня і фільтрує його;
змішувач із сумісним гетеродином
змішувач – на змішувач поступає два сигнала fг і fр, в наслідок биття частот утворюється різницева проміжна частота для амплітудних 465 кГц;
гетеродин – високочастотний генератор який виробляє сигнал високої частоти;
фільтр зосередженої селекції (ФЗС) – відфільтровує комбінаційні частоти і налаштовує на проміжну частоту;
підсилювач проміжної частоти (ППЧ) – забезпечує основне підсилення;
детектор – з промодульованого високочастотного сигналу виділяє низько частотний корисний сигнал;
попередній підсилювач низької частоти (ППНЧ) – підсилює корисний сигнал;
кінцевий підсилювач низької частоти (КПНЧ) – забезпечує потрібну потужність;
гучномовець – відтворює електричний сигнал в акустичний.
1.2 Розрахунок структурної схеми ТРЧ
1.2.1 Вибір проміжної частоти
Величину проміжної частоти вибираю таким чином:
а) проміжна частота (fnp ) не повинна знаходитися в діапазоні частот приймача чи близько від границь цього діапазону.
б) проміжна частота не повинна збігатися з частотою якого-небудь потужного передавача.
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
9
К232.090101.000 ПЗ
в) для одержання хорошої фільтрації проміжної частоти на виході детектора повинна бути виконана наступна умова:
fпр ≥ 10 Fв ; fпр≥10∙4,5кГц ; fпр≥45кГц (1)
де fпр – проміжна частота, Гц;
Fв – верхня звукова частота, Гц.г) зі збільшенням проміжної частоти:
— збільшується вибірковість по дзеркальному каналу;
— зменшується вибірковість по сусідньому каналу;
— розширюється смуга пропускання;
— зменшуються вхідний і вихідний опори електронних приладів, що приводить до збільшення шунтування контурів, а також знижується крутизна характеристики транзисторів;
— погіршується стійкість ППЧ;
— зменшується коефіцієнт підсилення на каскад за рахунок зменшення резонансного опору контуру і погіршення параметрів електронних приладів;
— зменшується шкідливий вплив шумів гетеродина на чутливість приймача;
— полегшується поділ трактів проміжної і низької частоти, що дозволяє спростити фільтр на виході детектора;
— збільшується надійність роботи пристрою автоматичного підстроювання частоти;
— зменшуються розміри контурів і блокувальних елементів.
д) зі зменшенням проміжної частоти:
— збільшується вибірковості по сусідньому каналу;
— зменшується вибірковість по дзеркальному каналу;
— звужується смуга пропущення;
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
10
К232.090101.000 ПЗ
— збільшуються вхідний і вихідний опори електронних приладів, що приводить до зменшення шунтування контурів, а також збільшується крутизна характеристики транзисторів;
— поліпшується стійкість ППЧ;
— збільшується коефіцієнт підсилення на каскад;
— знижується коефіцієнт шуму.
Застосування дворазового перетворення частоти дозволяє використовувати переваги високої і низької проміжних частот.
Вибираю загально прийняте значення частоти для всіх радіомовних АМ приймачів рівним 465 кГц. [1 табл.2.1]
1.2.2 Вибір числа під діапазонів і їх меж
Вхідні дані:
fmax = 8,3 МГц ;
fmin = 4,1 МГцkпд≤ (1,5 2,0). КХ [1 ст.22]
kпд. – коефіцієнт перекриття під діапазону;
1.2.2.1 Розраховую коефіцієнт перекриття по діапазону
, (2)
де kд – коефіцієнт перекриття діапазону;
fmax – максимальна границя діапазону, МГц;
fmin – мінімальна границя діапазону, МГц.

Так як kд < kпд , тому не потрібно розбивати весь діапазон на під діапазони.
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
11
К232.090101.000 ПЗ
1.2.2.2 Визначаю максимальну частоту з запасом
= (1,011,03) · fmax, (3.1)
де - максимальна частота з запасом, МГц ;
- максимальна частота сигналу, МГц= 1,02 · 8,3 = 8,446 МГц
1.2.2.3 Визначаю мінімальну частоту з запасом
= (0,970,99) · , (3.2)
де - мінімальна частота з запасом, МГц;
- мінімальна частота сигналу, МГц= 0,98 · 4,1 = 4,018 МГц
1.2.2.4 Визначаю коефіцієнт перекриття діапазону з запасом
, (4)
де - коефіцієнт перекриття з запасом

Оскільки kд<kпд. , то рішення не розбивати на піддіапазони було вірним. В подальших розрахунках буду використовувати коефіцієнт перекриття по діапазону (kд) замість коефіцієнту перекриття по піддіапазону (kпд.), так як використовується один діапазон.
1.2.3 Вибір підсилювального елементу для тракту радіочастоти та
визначення його високочастотних параметрів.

1.2.3.1 Визначаю параметри транзистора з загальним емітером по даних з загальною базою.
По довіднику вибрав транзистор ГТ313Б який має такі параметри :
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
11
Ом ;
;
(20...250) ; 30
h21б = 0,98
сім ;
В ;
мА ;
МГц ;
75 п сек. ;
пФ
Тепловідвід не потрібен
Потрібно визначити: g, S0 , gобр. , gi, , rб
а) Визначаю вхідну провідність : [1 табл.2.4 ст.15]
, (5)
де - вхідний опір, Ом ;
- коефіцієнт підсилення по струму ;
сим ;
б) Визначаю розподілений опір бази[1 табл.2.4 ст.15]
(6)
де Ск – ємність колекторного переходу, пФ ;
- у мк сек.
Ом
в) визначаю крутизну характеристик[1 табл.2.4 ст.15]
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
12
, (7)
де - коефіцієнт підсилення по струму ;
- вхідний опір , Ом ;

г) визначаю провідність зворотнього зв’язку[1 табл.2.4 ст.15]
(8)
де - вхідна провідність
сім
д) визначаю вихідну провідність[1 табл.2.4 ст.15]
; (9)
де h22б - вхідна провідність транзистора, сім ;
h21- коефіцієнт підсилення по струму;
h12б – коефіцієнт зворотнього зв’язку по напрузі;
h11б – вхідний опір транзистора
сім ;
е) визначаю постійну часу входу транзистора[1 табл.2.4 ст.15]
, (10)
де m= 1,6 ;
fа. – частота транзистора , МГц ;
h11б – вхідний опір, Ом ;
rб – опір бази, Ом
мк сек.
Отримані результати записую в таблицю 1.
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
13
Таблиця 1. Параметри транзистора ГТ313Б
Режим транзистора Параметри
S0 ,сім ,сім , сім rб, Ом , мксек
Uk,В ,мА 5 5 32,7 0,66 5 8,7 37,5 0,000442
1.2.3.2 Обчислення високочастотних параметрів транзистора ГТ313Б
на частоті 8,446МГц [1 табл.2.5 ст.16]
Вхідні дані
S0 = 32,7;
g = 0,6610-3 сім ;
gi = 8,710-5 сім ;
= 0,000442 мксек ;
rб = 37,5 Ом ;
Ск = 2 пФ ;
f0 = 465 кГц
а) визначаю допоміжні коефіцієнти
(11)
де S0 – крутизна характеристики , ;
rб – опір бази, Ом ;
;
, (12)
де S0 – крутизна характеристики , ;
rб – опір бази, Ом ;
Ck – ємність колекторного переходу, мк Ф;
- постійна часу бази транзистора, мк сек. ;
сім
, (13)
де - постійна часу бази транзистора, мк сек. ;
rб – опір бази, Ом ;
g – вхідна провідність, сім ;

; (14)
де = 3,14 ;
f0 – максимальна робоча частота ;
- постійна часу бази транзистора, мк сек. ;

б) визначаю вхідний опір
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
14
, (15)
де g – провідність, сім ;
- коефіцієнт частотного використання транзистора;
rб – опір бази, Ом
сім
; (16)
де gвх. – вхідна провідність
Ом
в) визначаю вихідний опір
, (17)
де gі. – вихідна провідність, сім ;
та Ф – коефіцієнти
сім
, (18)
де gвих. – вихідна провідність ;
Ом
г) визначаю вхідну ємність
пФ , (19)
де H – допоміжний коефіцієнт, який визначається по формулі (11).
д) визначаю вихідну ємність
, (20)
де Ск – ємність колекторного переходу,
Н – допоміжний коефіцієнт, який визначається за формулою (11).
пФ
е) визначаю крутизну характеристики транзистора
, (21)
де S0 – крутизна характеристики ,
Отримані дані записую в таблицю 2.
,мА , Ск , пФ Свх. ,пФ Свих пФ Rвх. ,Ом RвихОм , мксек
5 32,7 2 11,5 4,46 1448 11364 0,000442
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
16
Таблиця 2. Високочастотні параметри транзистора ГТ313Б на частоті 8,446 МГц1.2.3.3 Обчислення високочастотних параметрів транзистора ГТ313Б
на частоті 4,018 МГц [1 табл.2.5 ст.16].
Вхідні дані :
S0 = 32,7;
g = 0,6610-3 сім ;
gi = 8,710-5 сім ;
= 0,000442 мк сек. ;
rб = 37,5 Ом ;
Ск = 2 пФ ;
f0 = 465 кГц
а) визначаю допоміжні коефіцієнти по формулам
; (11)
де S0 – крутизна характеристики , ;
rб – опір бази, Ом ;
;
, (12)
де S0 – крутизна характеристики , ;
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
17
rб – опір бази, Ом ;
Ck – ємність колекторного переходу, мк Ф;
- постійна часу бази транзистора, мк сек. ;
сім
, (13)
де - постійна часу бази транзистора, мк сек. ;
rб – опір бази, Ом ;
g – вхідна провідність, сім ;

;(14)
де = 3,14 ;
fпр. – проміжна частота, МГц;
- постійна часу бази транзистора, мк сек. ;

Так як < 0,3 веду розрахунок по спрощених формулах [1 табл.2.5 ст.16]
б) визначаю вхідний опір
, (15)
де g – провідність, сім ;
- коефіцієнт частотного використання транзистора;
rб – опір бази, Ом
сім
(16)
де gвх. – вхідна провідність
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
18
Ом
в) визначаю вихідний опір по формулах (22-23)
, (17)
де gі. – вихідна провідність, сім ;
та Ф – коефіцієнти
сім
(18)
де gвих. – вихідна провідність ;
Ом
г) визначаю вхідну ємність по формулі (24)
пФ , (19)
де Б – допоміжний коефіцієнт, який визначається по формулі (13).
д) визначаю вихідну ємність
, (20)
де Ск – ємність колекторного переходу,
Н – допоміжний коефіцієнт, який визначається за формулою (11).
пФ
е) визначаю крутизну характеристики транзистора
, (21)
де S0 – крутизна характеристики ,
Отримані дані записую в таблицю 3.
Таблиця 3. Високочастотні параметри транзистора ГТ313Б на частоті 4,018 МГц,мА , Ск , пФ Свх. ,пФ СвихпФ Rвх. ,Ом Rвих.Ом , мксек
5 32,7 2 11,5 4,46 1493 11494 0,000442
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
19

1.2.3.4 Обчислення високочастотних параметрів транзистора ГТ313Б
на частоті 465 кГц [1 табл.2.5 ст.16].
Вхідні дані :
S0 = 32,7;
g = 0,6610-3 сім ;
gi = 8,710-5 сім ;
= 0,000442 мк сек. ;
rб = 37,5 Ом ;
Ск = 2 пФ ;
f0 = 465 кГц
а) визначаю допоміжні коефіцієнти по формулам (11-13)
;
де S0 – крутизна характеристики , ;
rб – опір бази, Ом ;
;
,
де S0 – крутизна характеристики , ;
rб – опір бази, Ом ;
Ck – ємність колекторного переходу, мк Ф;
- постійна часу бази транзистора, мк сек. ;
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
20
сім
,
де - постійна часу бази транзистора, мк сек. ;
rб – опір бази, Ом ;
g – вхідна провідність, сім ;

;
де = 3,14 ;
fпр. – проміжна частота, МГц;
- постійна часу бази транзистора, мк сек. ;

Так як < 0,3 веду розрахунок по спрощених формулах [1 табл.2.5 ст.16]
б) визначаю вхідний опір по формулам (15-16)
,
де g – провідність, сім ;
- коефіцієнт частотного використання транзистора;
rб – опір бази, Ом
сім

де gвх. – вхідна провідність
Ом
в) визначаю вихідний опір по формулах (17-18)
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис_
Дата_
Арк._
Арк._
21
,
де gі. – вихідна провідність, сім ;
та Ф – коефіцієнти
сім

де gвих. – вихідна провідність ;
Ом
г) визначаю вхідну ємність по формулі (19)
пФ ,
де Б – допоміжний коефіцієнт, який визначається по формулі (13).
д) визначаю вихідну ємність по формулі (20)
,
де Ск – ємність колекторного переходу,
Н – допоміжний коефіцієнт, який визначається за формулою (11).
пФ
,
де S0 – крутизна характеристики ,
Отримані дані записую в таблицю 4.
Таблиця 4. Високочастотні параметри транзистора ГТ313Б на частоті
465 кГц
,мА , Ск , пФ Свх. ,пФ СвихпФ Rвх. ,Ом Rвих.,Ом ,мксек
5 32,7 2 11,5 4,46 1515 11628 0,000442
1.2.4 Вибір блоку змінних конденсаторів
Вхідні дані:
f 'max= 8,466 МГц ;
f'min= 4,018 МГц ;
k' = 2,024
Cmin= 8-12 пФ 8 пФ ( згідно таблиці 1.7 методички )
Cmax = 150-250 пФ 200 пФ ( згідно таблиці 1.7 методички )
Приймач - транзисторний
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
21
К232.090101.000 ПЗ
1.2.4.1 Визначення еквівалентної ємності схеми, при якій вибрав елементи перестройки, чи забезпечує перекриття під діапазону
С'сх = (22)
де С’cx — еквівалентна ємність схеми
Сmax – максимальна ємність вибраного конденсатора, пФ
Cmin — мінімальна ємність вибраного конденсатора, пФ
K’пд — коефіцієнт перекриття діапазону з запасом
С’сх == 56пФ
1.2.4.2 Оскільки С’cx більше 0, визначаю дійсну ємність схеми.

Ссх = Свн+ Ст+ Сl (23)
Оскільки приймач транзисторний і працює на коротких хвилях згідно таблиці 1.9 обираю :
Ст—ємність монтажу для коротких хвиль (8-10)
С- ємність котушки індуктивності, (4-10)
Свн – ємність яка вноситься в контур настройки каскаду.
У схемах на транзисторах звичайно m2<<1, а m1=1,6, тому вважаємо, що Свх=0
Свн=Свих (24)
де Свх—вхідна ємність електричного приладу наступного каскаду
Свих—вихідна ємність електричного приладу каскаду УРЧ
Свн=11,5 пФ
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
22
К232.090101.000 ПЗ
Знаходжу дійсну ємність схеми
Ссх=11,5+10+10 = 31,5пФ
1.2.4.3 Оскільки С’сх = 56 пФ > Ссх= 31,5 пФ ,то потрібно розрахувати додаткову ємність, яку, потрібно включити в контур для забезпечення заданого перекриття
Сдод= (25)
де Сдод—додаткова ємність, пФ
Сдод= 56-31,5=24,5 пФ
1.2.4.4 Визначаю еквівалентну ємність контуру вхідного кола
Се=(Сmin+ С’сх)(Cmax+ С’сх) (26)
Се=(7+52,2)(125+52,2) = (59,2177,2) пФ
1.2.5 Розподіл послаблення по трактах радіоприймача
Сумарне послаблення всього пристрою не повинно перевищувати 14 дБ (для АМ>250 кГц) [1 табл.2.13 ст.29]
Підсилювач радіочастоти - 3 дБ (1,42)
Підсилювач проміжної частоти - 7 дБ (2,24)
Попередній підсилювач низької частоти - 2 дБ (1,26)
Кінцевий підсилювач низької частоти - 2 дБ (1,26)
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
23
К232.090101.000 ПЗ
1.2.6 Знаходження частотних спотворень по трактах радіоприймача
Вхідне коло з одним контуром - 1,5 дБ (1,18)
Підсилювач радіочастоти - 1,5 дБ (1,18)
Підсилювач проміжної частоти з ФЗС - 3 дБ (1,41)
1.2.7 Визначення кількості контурів та їх еквівалентної добротності в тракті радіо частоти
Вхідні дані :
f’min = 0,510 3кГц ;
f’max = 4,5 10 3 кГц;
дБ (79,4) ;
П = 9 кГц ;
fпр. = 465 кГц ;
дБ (1,41); [1 табл.2.13 ст.29]
= 0,8 ; [1 табл.2.15 ст.31]
Qк = 150; [1 табл.2.14 ст.30]
1.2.7.1 Приймаю число одиночних вибіркових контурів
nс = 2
1.2.7.2 Визначаю необхідну добротність контурів, що забезпечує задане ослаблення на краях смуги пропускання [1 ст.29]
, (27)
де - нижня границя діапазону з запасом ;
П – смуга пропускання ;
nc – кількість одиночних контурів ;
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
24
К232.090101.000 ПЗ
п – ослаблення на краях смуги тракту радіочастоти ;

1.2.7.3 Визначаю необхідну добротність контурів, що задає задану вибірковість по дзеркальному каналу [1 ст.30]
, (28)
де (29)
nс – число одиночних контурів ;
дз. – вибірковість по дзеркальному каналу, раз ;
- верхня границя діапазону з запасом , кГц ;
- верхня дзеркальна частота , кГц
кГц
тому, що частоту гетеродина приймаю нижче частоти сигналу.
;
1.2.7.4 Визначаю конструктивну еквівалентну добротність контуру [1 ст.30]
, (30)
де - коефіцієнт шунтування контуру електронним пристроєм
Qк – конструктивна добротність контуру

Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
25
К232.090101.000 ПЗ
1.2.7.5 Оскільки Qи = 19,5<Qекв. = 120<Qп =36, то вибираю Qє з проміжку Qи<QєквQп. [1 мал. 2.21 б ].
Приймаю Qє max=110 число одиночних контурів nс = 2 .
1.2.7.6 Приймаючи, що узгодження входу транзистора з контуром буде здійснюватися на максимальній частоті діапазону, визначаю еквівалентну добротність контуру на нижній частоті діапазону [1 ст.33]
, (31)
де - еквівалентна якість контуру на максимальній частоті

, (32)
де Qk– конструктивна добротність контуру
;
; (33)
де тому, що ці опори майже рівні [1 ст.34]
- мінімальна частота сигналу , МГц
- максимальна частота сигналу ,МГц
; (34)

Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
26
К232.090101.000 ПЗ
Оскільки . = 181˂ Qп = 36, то розрахунок зроблений правильно і остаточно приймаю : nc= 2 , Qє max= 110 ; Qє min = 181 [1 ст.34]
1.2.7.7 Для крайніх точок діапазону і визначаю [1 ст.37] :
а) допоміжні коефіцієнти :
; (35)

; (36)

; (37)

; (38)

де - розстрочка, при якій вибірковість по сусідньому каналу, кГц ;
- максимальна частота сигналу ,МГц ,
- мінімальна частота сигналу , МГц ,
П - смуга пропускання ,
- еквівалентна якість контуру на максимальній частоті ,
- еквівалентна якість контуру на мінімальній частоті ,
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
27
К232.090101.000 ПЗ
б) визначаю дзеркальні частоти
, (39)
де - мінімальна частота сигналу , кГц ,
fпр – проміжна частота, кГц ;
кГц
fдз.max знаходжу за формулою (29) :
кГц
в) визначаю вибірковість по сусідньому каналу :
; (40)
(0,17 дБ)
; (41)
(1,28 дБ)
г) визначаю ослаблення на краях смуги :
; (42)
(0,034 дБ)
; (43)
(0,103 дБ)
= 0,034 дБ <= 0,103 дБ < =3 дБ
Вихідні дані виконані
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
28
К232.090101.000 ПЗ
д) визначаю вибірковість по дзеркальному каналу
; (44)
(92,7 дБ);
; (45)
(77,02 дБ);
де - максимальна частота сигналу , мГц ,
- мінімальна частота сигналу , МГц ,
- еквівалентна якість контуру на максимальній частоті ,
- еквівалентна якість контуру на мінімальній частоті ,
Оскільки дБ > дБ > дБ, то розрахунок зроблений правильно. [1 ст.37]
1.3 Визначення числа і параметрів вибіркових систем тракту проміжної частоти
1.3.1 Розрахунок ФЗС
Вхідні дані :
кГц,
П = 9 кГц,
дБ, (13,06)
кГц ,
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
29
К232.090101.000 ПЗ
дБ (2,23); [1 табл.2.13 ст.29]
= 0,8 ; [1 табл.2.15 ст.31]
Qк = 150; [1 табл.2.14 ст.30]
1.3.2.1 Задаюся числом ФЗС
nпр. = 1
1.3.1.2 Визначаю ослаблення на краях смуги пропускання фп і вибірковість по сусідньому каналу фс , що повинна забезпечувати одна ланка ФЗС [1 ст.43]
, (46)
де п – ослаблення на краях смуги фільтра, дБ,
nпр. – кількість прийнятих ФЗС,
дБ,
, (47)
де с – вибірковість по сусідньому каналу, дБ,
nпр. – кількість прийнятих ФЗС,
дБ
1.3.1.3 Оскільки дБ , дБ , то задаюся величиною
[1 ст.43]
1.3.1.4 Визначаю ширину розрахункової смуги ФЗС [1 ст.43]
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
30
К232.090101.000 ПЗ
, (48)
де П - смуга пропускання, кГц ,
п - коефіцієнт,
кГц ,
1.3.1.5 По формулі визначаю необхідну добротність контурів [1 ст.43]
, (49)
де fпр - проміжна частота, кГц ;
Пр - ширина розрахункової смуги ФЗС,

Оскільки ˂Qк = 150, то розрахунок можна продовжувати [1 ст.44].
1.3.1.6 Визначаю величину відносної розстрочки
а) на краях смуги пропускання ППЧ [1 ст.46]
, (50)
де П - смуга пропускання, кГц ,
Пр - ширина розрахункової смуги ФЗС,

Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
31
К232.090101.000 ПЗ
б) по сусідньому каналу [1 ст.46]
, (51)
де 2fc - розстрочка, кГц ;
Пр - ширина розрахункової смуги ФЗС,

1.3.1.7 Визначаю величину узагальненого загасання [1 ст.46]
, (52)
де fпр - проміжна частота, кГц ;
Qк – конструктивна добротність контуру,
Пр - ширина розрахункової смуги ФЗС,

Приймаю =0,6
1.3.1.8 Дивлячись на малюнок 2, по кривій при =0,6 відшуковую точку, що лежить на перетині кривої з лінією на вертикальному рівні с= 1,89 і відраховую відповідне цій точці ослаблення на одну ланку ФЗС с1 = 8,6 дБ. [1 ст.46]
1.3.1.9 На малюнку 2, на цій же кривій відшуковую точку, що лежить на її перетині з вертикальною лінією на рівні п=0,85 , і відраховую відповідне цій точці ослаблення на краях п1 = 1,8 дБ. [1 ст.46]
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
32
К232.090101.000 ПЗ

Рисунок 2. Узагальнені резонансні криві триелементної П - подібної ланки ФЗС [1 мал.2.23 ст.44]
1.3.1.10 Число ланок ФЗС, необхідне для забезпечення вибірковості по сусідньому каналу [1 ст.46]
, (53)
де фс - вибірковість по сусідньому каналу, що повинна забезпечувати одна ланка ФЗС
с1 – вибірковість по сусідньому каналу, забезпечені одним ФЗС

1.3.1.11 Число ланок ФЗС, необхідне для забезпечення ослаблення на краях смуги фільтру [1 ст.46]
, (54)
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
33
К232.090101.000 ПЗ
де фп - ослаблення на краях смуги, що повинна забезпечувати одна ланка ФЗС
п1 – ослаблення на краях, забезпечене одною ланкою ФЗС

Так як = , тому вибираю nпр.= [1 ст.46]
1.3.2 Розрахунок підсилення до детектора
Вхідні дані :
Uд вх = 0,5 В ; [1 табл.2.16 ст.48]
Еа = 110 мкВ ;
m =0,33 ;
Kд= 0,7 ; [1 табл.2.16 ст.48]
nc = 2
Qк = 150 , [1 табл.2.15 ст.31]
с=0,8; [1 табл.2.15 ст.31]
nпр. = 1,
Qє = 120
пр.=0,8; [1 табл.2.15 ст.31]
= 0,6
параметри транзистора ГТ313Б на частоті 8,466 МГц з таблиці 2 :
МГц ,
S = ,
Rвх. = 1448 Ом ,
Rвих. = 11364 Ом ,Ск = 2 пФ ,
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
34
К232.090101.000 ПЗ
параметри транзистора ГТ313Б на частоті 465 кГц з таблиці 3.:
кГц ,
S = 32,7 ,
Rвх. = 1493 Ом ,
Rвих. = 11494 Ом ,
Ск = 2 пФ ,
Прийом здійснюється на зовнішню антену
1.3.2.1 Визначаю необхідне підсилення [1 ст.49]
, (55)
де Uд вх – напруга на вході детектора , В
Еа - чутливість приймача , мкВ,

1.3.2.2 Визначаю необхідне підсилення з запасом [1 ст.49]:
, (56)
де – необхідне підсилення

1.3.2.3 Визначаю напругу на виході детектора [1 ст.48]
, (57)
де Kд – коефіцієнт передачі детектора ,
m -коефіцієнт передачі ,
Uд вх – напруга на вході детектора, В
В ,
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
35
К232.090101.000 ПЗ
1.3.2.4 Визначаю коефіцієнт включення транзистора ГТ313Б у контур вхідного ланцюга на частоті 8,466 МГц [1 ст.49 ]
, (58)
де – коефіцієнт шунтування контуру електронним приладом на f'max
Rвх – вхідний опір електронного приладу на частоті fmax, кОм
Сэmin – мінімальна еквівалентна ємність контуру, пФ
f'max – максимальна частота піддіапазону, МГц
Qк – конструктивна добротність контуру

1.3.2.5 Задавшись коефіцієнтом передачі вхідного ланцюга Квц = 8 [1 ст.55], визначаю коефіцієнт передачі вхідного ланцюга з урахуванням коефіцієнта включення першого транзистора.
К'вц= m2 Квц, (59)
де m2 – коефіцієнт включення транзистора у контур вхідного кола
Квц – коефіцієнт передачі вхідного ланцюга
К'вц = 0,0128 = 0,096
1.3.2.6 Визначаю максимально стійкий коефіцієнт підсилення :
а) каскаду УРЧ на транзисторі ГТ313Б [1 ст.55]
, (60)
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
36
К232.090101.000 ПЗ
де S - крутизна характеристики, ,
- максимальна частота діапазону, МГц ,Ск - ємність колекторного переходу, пФ
,
б) перетворювача частоти на транзисторі ГТ313Б [1 ст.55]
, (61)
де Sс- крутизна характеристики, ,
- максимальна частота сигналу, МГц ,Ск - ємність колекторного переходу, пФ
,
в) каскаду УПЧ на транзисторі ГТ313Б [1 ст.55] :
, (62)
де S – крутизна характеристики, ,
– проміжна частота ,МГц ,
Ск – ємність колекторного переходу, пФ
;
1.3.2.7 Попередньо приймаю [1 ст.55] :
число каскадів радіочастоти NПРЧ = nc– 1 = 2 – 1 = 1
число каскадів тракту проміжної частоти NППЧ = nпр.– 1 = 1 – 1 =0
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
37
К232.090101.000 ПЗ
1.3.2.8 Визначаю найбільш можливий коефіцієнт підсилення каскадів при повному узгоджені [1 ст.55]
а) каскаду ПРЧ на транзисторі ГТ313Б
, (63)
де S– крутизна характеристики, ,
с–коефіцієнт шунтування контуру транзистором ,
Rвх.– вхідний опір транзистора, кОм ,
Rвих. – вихідний опір транзистора, кОм ,
,
б) перетворювач частоти на транзисторі ГТ313Б
, (64)
де S– крутизна характеристики, ,
пр–коефіцієнт шунтування контуру транзистором ,
Rвх.– вхідний опір транзистора, кОм ,
Rвих. – вихідний опір транзистора, кОм ,
– фактор зв’язку між контурами
,
в) каскаду ППЧ на транзисторі ГТ313Б :
, (65)
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
38
К232.090101.000 ПЗ
де S– крутизна характеристики, ,
пр–коефіцієнт шунтування контуру транзистором ,
Rвх.– вхідний опір транзистора, кОм ,
Rвих. – вихідний опір транзистора, кОм ,
– фактор зв’язку між контурами фільтру
.
З порівняння результатів обчислень за коефіцієнт підсилення каскаду приймаю для подальших розрахунків меншу величину.
1.3.2.9 Розраховую загальне підсилення до детектора [1 ст.56]
, (66)
де – коефіцієнт передачі вхідного ланцюга з урахуванням коефіцієнта включення першого транзистора ,
– максимально стійкий коефіцієнт підсилення каскаду ПРЧ,
– максимально стійкий коефіцієнт підсилення перетворювача частоти,
– максимально стійкий коефіцієнт підсилення каскаду ППЧ,

1.3.2.10 Оскільки <, то необхідно додати три
аперіодичний ППЧ.

Оскільки>, то розрахунок зроблено правильно.
Число каскадів ПРЧ приймаю : NПРЧ = 1 ,
Число каскадів ППЧ приймаю : NППЧ = 3 .
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
39
К232.090101.000 ПЗ
1.4 Розрахунок структурної схеми тракту НЧ
Питання проектування і розрахунку підсилювача низької частоти (ПНЧ) на транзистора буде показано далі.
Щоб забезпечити передачу максимальної потужності в навантаження, кінцеві підсилювачі виконую за схемою з без трансформаторним виходом.
Попередні підсилювачі виконую на транзисторах.
Для зменшення нелінійних і частотних спотворень в кінцевих каскадах рекомендується охоплювати їх негативним зворотнім зв’язком, але, щоб не ускладнювати схему, я не буду його (зворотній зв’язок) застосовувати.
Підсилювальні каскади низької частоти на транзисторах можуть проектуватися по схемах як із загальним емітером, так і з загальною базою і загальним колектором. Однак найчастіше застосовується схема з загальним емітером, тому що вона легше поєднується з іншими каскадами і має більший вхідний опір (приблизно в 10 разів) і менший вихідний (десятки кОм), ніж схема з загальною базою. З цих міркувань я вибираю схему з загальним емітером.
Так як у моєму приймачі мала вихідна потужність (Рвих. = 0,7 Вт), у схемі вихідного підсилювача низької частоти використовую двохтактний, транзисторний підсилювач з без трансформаторним зв’язком. [1 ст.56].
1.4.1 Вибір типу електродинамічного гучномовця
Вихідними даними, необхідними для вибору динамічного гучномовця є:
номінальна вихідна потужність (Рвих. = 0,7 Вт);
середній звуковий тиск при заданій номінальній потужності в
оговореній технічними вимогами смузі частот;
смуга відтворених частот (Fmin=0,4 кГц ; Fmax= 4,5 кГц);
нерівномірність частотної характеристики;
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
40

К232.090101.000 ПЗ
При виборі гучномовця для настільного чи стаціонарного приймача основна увага звертається на його акустичні дані і частотну характеритику.
Також для стаціонарних приймачів важливий такий параметр як маса. В поняття маси входить і маса гучномовця, яка має бути мінімальною.
Якщо вибирати гучномовець по потужності, то, в моєму випадку, я вибираю гучномовець середньої потужності – на 1 Вт (1ГД-40Р) – призначених для стаціонарних приймачів. З вхідним опором – 8 Ом
При виборі гучномовців необхідно, щоб їхній робочий діапазон частот і середній звуковий тиск були більше чи дорівнювали діапазону частот і звуковому тиску, заданих технічними умовами. [1 ст.57]
1.4.2 Вибір типу транзистора вихідного каскаду ПНЧ
У більшості випадків попередні каскади ПНЧ можуть бути виконані на малопотужних транзисторах. При цьому, якщо частоти, що підсилюються не перевищують одиниць кілогерц , вибір транзисторів виконується по низькочастотних параметрах з наступних міркувань :
мінімальна вартість ;
найбільшої величини коефіцієнта підсилення транзистора по струму в схемі з загальним емітером. [1 ст.58]
Для КПНЧ використовую транзистор КТ815А n-p-n типу і КТ814А.
Параметри:
Тепловий опір транзистора (40…100) приймаю: Rт п-с =40;
Максимальна потужність, що розсіюється на колекторі Ркmax=1 Вт
Максимально допустимий постійний струм колектора
(без радіатора): Ікmax = 0,5 A
Максимально допустимий струм бази: ІБ max =0,05 A
Максимально допустима напруга колектор – емітер: Uкєmax =25 В
Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в схемі з загальним емітером : (40…70) h21є мін = 60

1.4.3 Визначення кількості каскадів попереднього підсилення

Вхідні дані :
Рн =0,7 Вт ;
т = 1; [1 ст.58]
= 0,8 ; [1 ст.58]
Uд вих. = 58мВ ;
Kд = 0,7; [1 табл.2.16 ст.48]
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
41
К232.090101.000 ПЗ
Параметри транзистора КТ315Ж: [1 табл.1 ст.6]
Rвх УНЧ =12,24 кОм;
Ркmax = 0,15 Вт ;
Вmin = 30 ;
Ек мax = 30 В ;
Ікmax = 0,5 А ;
Ібmax = 0,05 А ;
1.4.3.1 Гранично допустима напруга колектора для обраного транзистора [1 ст.58]
Ек =(0,30,4) (67)
де Ек мах – максимальна напруга на колекторі, В
В
1.4.3.2 Визначаю амплітуду струму колектора, що забезпечує задану вихідну потужність кінцевого каскаду [1 ст.58]
, (68)
де Ек – напруга на колекторі , В ;
т – ККД (1) ;
– коефіцієнт використання колекторної напруги ;
Рн – номінальна вихідна потужність, Вт
мА
мА<Ікmax = 0,5 А ;
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
42
К232.090101.000 ПЗ
1.4.3.3 Визначаю амплітуду струму бази кінцевого каскаду [1 ст.59]
; (69)
де Іmк– амплітуда струму колектора , мА ,
Вmin – мінімальний коефіцієнт підсилення по струму в схемі з загальним емітером обраного типу транзистора.
мА ,`
1.4.3.4 Постійна складова струму колектора [1 ст.60]
, (70)
де Іmк – амплітуда струму колектора кінцевого каскаду
= 3,14,
мА
1.4.3.5 Вибирав схему послідовного однотактного детектора, що працює в режимі малих напруг, для якого [1 ст.59]
, (71)
де – вхідний опір підсилювача низької частоти ,
– коефіцієнт передачі
кОм ,
1.4.3.6 Амплітуда струму бази при роботі від детектора [1 ст.59]
, (72)
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
43
К232.090101.000 ПЗ
де Uд вих – вихідна напруга детектора, В ,
Rн – опір навантаження детектора, Ом,
А = 0,0016 мА ,
1.4.3.7 Визначаю необхідне підсилення по струму [1ст.60]
; (73)
де Іmб – амплітуда струму бази кінцевого каскаду, мА
Іm б1 – амплітуда струму бази при роботі від детектора, мА

Необхідне підсилення з запасом :
, (74)
де – необхідне підсилення по струму,

1.4.3.8 Вибираю для попередніх каскадів ПНЧ транзистор КТ315Ж , що має високий мінімальний коефіцієнт підсилення по струму Вmin = 30 .
1.4.3.9 Необхідне число каскадів попереднього підсилювача [1 ст.60]
, (75)
де – необхідне підсилення по струму з запасом,
Вmin – мінімальний коефіцієнт підсилення по струму в схемі з загальним емітером обраного типу транзистора.
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
44
К232.090101.000 ПЗ

Отже число потрібних каскадів попереднього підсилення .
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
45
К232.090101.000 ПЗ
2 кінцевий розрахунок
2.1 Розрахунок вихідного без трансформаторного каскаду.

Рисунок 3 – Схема кінцевого підсилювача із без трансформаторним зв’язком
Вхідні дані:
Вихідна потужність підсилювача Рвих= 0,7 Вт ;
Нижня частота діапазону Fн = 0,4 кГц ;
Верхня частота діапазону Fв = 4,5 кГц ;
Опір навантаження Rн = 8 Ом ;
Коефіцієнт частотних спотворень Мн.вих.каск= 14 дБ (5,011);
Коефіцієнт нелінійних спотворень Кг= 5 % ;
Межі зміни навколишньої температури tотк.min… tотк.max - 40…100
Параметри вибраних транзисторів які будуть працювати в парі «КТ814А і КТ815А» різної структури але однакових параметрів:
Тепловий опір транзистора (40…100) приймаю: Rт п-с =40;
Максимальна потужність, що розсіюється на колекторі Ркmax=1 Вт
Максимально допустимий постійний струм колектора
(без радіатора): Ікmax = 0,5 A
Максимально допустимий струм бази: ІБ max =0,05 A
Максимально допустима напруга колектор – емітер: Uкєmax =25 В
Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора в схемі з загальним емітером : (40…70) h21є мін = 60
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
46
К232.090101.000 ПЗ

2.1.1 Знаходжу напругу джерела живлення [1ст.112].
, (76)
де Рвих - вихідна потужність приймача, Вт,
Rн - опір гучномовця, Ом.

2.1.2 Знаходжу мах. значення колекторного струму кінцевих транзисторів [1 ст.113].
, (77)
де Ек - напруга джерела живлення, В,
Rн – опір гучномовця, Ом.

2.1.3 Вибираю значення струму спокою в кінцевих транзисторах.
, (78)

2.1.4 Знаходжу мах. потужність розсіювання кожним кінцевим транзистором.
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
47
К232.090101.000 ПЗ
, (79)

2.1.5 По отриманих значеннях Ек. Ркмах.розр. Ік мах. роз. і заданому значенні fв вибираємо тип кінцевих транзисторів (VT1 і VT2). При цьому необхідно щоб максимально допустимі значення відповідних параметрів транзисторів перевищувала наступні показники :
Uке max.˃Ек
25˃7,69
Ркmax˃Ркмах.розр
1˃0,74
Ікmax˃Ік мах. роз
0,5˃0,48
Зворотній струм колектора Ікб0 вибраного транзистора повинен бути мінімальним. Крайня частота підсилення транзистора повинна перевищувати верхню частоту заданого частотного діапазону не менше як в 2 рази:
fh21э ≥ 2 × fв
50 ≥ 9
При виборі кінцевих транзисторів треба взяти до уваги падіння потужності розсіювача транзистором при підвищенні температури навколишнього середовища.
Гранична потужність розсіюється колекторним переходом транзистора, вираховуємо:
Ркmaxрозр=(tпmax ∙ tнавк.серед. )/Rт.п-с, (80)
де tпmax – максимальна температура переходу, С
tнавк.серед. – максимальна напруга навколишнього середовища, С
Rт.п-с – тепловий опір навколишнє середовище, С/Вт
Змн.
Арк.
№Документа_
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
48
К232.090101.000 ПЗ
Ркmaxрозр = (60 ∙ 50)/40 = 75
2.1.6 Визначаю максимальне значення колекторного струму перед-кінцевих транзисторів
Ікmaxрозрпред=Ікmaxрозр/h21э min (81)
Ікmaxрозр – максимальне значення колекторного струму передкінцевих транзисторів
h21э min – мінімальне значення коефіцієнта передачі струму кінцевих транзисторів.
Ікmaxрозр пред= 0,48/60 =0,008А
Опори резисторів R1 = R2 вибираю в межах (100…1000) Ом і уточнюються при регулюванні підсилювача – резистор МЛТ-0,25-1 кОм
2.1.7 Визначаю потужність розсіювання кожного із передкінцевих транзисторів:
Ркmaxрозрпред=Ркmaxрозр/h21э min(1 – 0,9/(R1 Ікmaxрозрпред)), (82)
Ркmaxрозр – гранична потужність, що розсіюється колекторним переходом транзистора, Вт
Ікmaxрозрпред – максимальне значення колекторного струму передкінцевих транзисторів, А
Ркmaxрозр пред = 0,74/60(1-0,9/5000,008) = 0,015Вт
2.1.8 За отриманим значенням Ік вибираю передкінцеві транзистори типу КТ315Ж (VT5 і VT6) n-р-n. При цьому необхідно, щоб максимально Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
49
К232.090101.000 ПЗ
допустимі значення параметрів вибраних транзисторів перевищували розрахункові значення:
Uкэ мах пред>Ек
25>7,69
Ркmaxпред>Ркmaxрозрпред
0,5>0,015
Ікmaxпред>Ікmaxрозрпред
0,5>0,008А
Обраний струм колектора необхідних транзисторів Ікбо перед повинний бути мінімальним. Крайня частота посилення передкінцевих транзисторів повинна перевищувати верхню частоту заданого частотного діапазону не менш ніж у 5 разів
fh21э пред 5fв
60 > 22,5
2.1.9 Знаходжу ємність роздільного конденсатора С1,2
С1,21/fнRн, (83)
де fн – мінімальна звукова частота, Гц
С1,2 = 1/3,144008 = 99,5 мкФ - конденсатор К 50-16 16В×100мкФ
Чим більше ємність тим краще працює підсилювач в області нижніх частот діапазону.

2.1.10 Опір резистора R20 звичайно не розраховую, а підбираю експериментально при настроюванні каскаду (спочатку можна вибрати R20 10 кОм).

2.1.11 Визначаю частотні викривлення каскаду в області низьких і високих частот
, (84)
де С1,2 – ємність роздільного конденсатора

, (85)
де fв – максимальна звукова частота, Гц
fh21э – гранична частота посилення кінцевих транзисторів, Гц

Отримані величини Мн розр і Мв розр не повинні перевищувати заданих величин.
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
50
К232.090101.000 ПЗ
2.1.12 Коефіцієнт нелінійних спотворені без трансформаторного вихідного каскада визначається за наступними формулами.
Для цього необхідно налаштувати сковзну динамічну характеристику - графік залежності струму колектора Ік від ЕРС Ер еквівалентного генератора вхідного сигналу.
Розрахунок веду в наступній послідовності:
а) задаюся внутрішнім опором еквівалентного генератора вхідного сигналу
Rи ≈ Rвх ≈ 12,24кОм:
б) користуючись вхідними і вихідними характеристиками транзистора мал.(5,6) визначаємо для деяких точок (1;2;3) значення Uке, Ік, Іб та Uбе:

Рисунок 4. Рисунок 5.
Вхідні характеристики транзистора Вихідні характеристики транзистора
КТ814, КТ815 КТ814, КТ815
в) визначаємо величину ЕРС еквівалентного генератора для різних значень Uбе та Іб відповідно вибраних точок (1;2;3) за формулою:
Ег = Uбэ+ІбRі, (86)
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
51
К232.090101.000 ПЗ
де Uбэ – напруга транзистора база-емітер, В
Іб – струм бази транзистора, А
Rи – внутрішній опір еквівалентного генератора вхідного сигналу, Ом
Точка 1:
Uке = 6,8 В;
Ік = 170 мА;
Іб = 1 мА;
Uбе = 0,8 В
Ег= 0,8+0,001∙12240 = 13,04
Точка 2:
Uке = 3,3 В;
Ік = 330 мА;
Іб = 5 мА;
Uбе = 1 В
Ег= 1+0,005∙12240 = 62,2
Точка 3:
Uке = 0,9 В;
Ік = 470 мА;
Іб = 10 мА;
Uбе = 1,2 В
Ег= 1,2+0,01∙12240 = 123,6
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
52
К232.090101.000 ПЗ
г) за отриманими даними у прямокутній системі координат будую графік залежності Ік = f(Ег) мал. 7:
д) визначивши по графіку максимальне, середнє і мінімальне значення струмів колектора. Ік мах. = 470 мА; Ік сер. = 320 мА; Ік мін. = 150мА, рахуємо амплітудне значення гармонічних складових струму колектора за формулами:

Рисунок 6 – Залежність Ік від Ег
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
53

К232.090101.000 ПЗ
Нехай Х = 0,2
, (87)

, (88)

(89)

, (90)
е) коефіцієнт нелінійних спотворень визначаємо за формулою:
(91)
Ікт1,Ікт2,Ікт3,Ікт4 – амплітуди гармонійних складових струму колектора
Необхідно щоб Кгрозр. ≥ Кг, це для того щоб отримати в результаті розрахунку значення коефіцієнта гармонік не перевищувало заданого допустимого значення Кг = 5%

Таблиця 4. Відповідність елементів
№ Рисунок 3 Схема ел. принципова
1 С1 C42
2 С2 C44
3 С3 C45
4 R1 R38
5 R2 R39
6 VT1 VT11
7 VT2 VT12
8 VT3 VT13
9 VT4 VT14
10 BA1 BA1
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
54

К232.090101.000 ПЗ

Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
55

К232.090101.000 ПЗ
ВИСНОВОК
На цьому курсовому проектуванні я розрахував амплітудно-модульований приймач. Так, як вихідна потужність 0,7 Вт, то приймач є переносний. В його схемі елементом живлення являється гальванічний елемент – батарейка із ЕРС = 9В. Зв'язок з антеною комбінований. Для зменшення габаритів і маси змішувач виконаний з сумісним гетеродином.
В кінцевому розрахунку двохтактний без трансформаторний підсилювач, розраховано вихідний підсилювач низької частотиі як видно з розрахунків в приймачі застосований фазоінвертор. Дана кількість ланок підсилення забезпечує потрібний коефіцієнт підсилення. Фазоінвертор перетворює основний сигнал в два протифазні сигнали.
Отже результати моїх розрахунків записані в таблиці 5.
Таблиця 5
Вхідне коло ПРЧ Перетворювач частоти ППЧ Детектор ППНЧ Фазоінвертор КПНЧ
Частотний аналіз 15,3 – 8,82 МГц 15,3 – 8,82 МГц 465 кГц 465 кГц 0,4-4,5 кГц 0,4-4,5 кГц 0,4-4,5 кГц 0,4-4,5 кГц
Послаблення по краях смуги, ДБ 3 7 2 2
Коефіцієнт підсилення, ДБ 3,27 3,27 18,76 Кількість каскадів 2 1 1 3 1 3 1 1
Кількість ФЗС та коливальних контурів 1 1 1 Тип підсилювального елементу 2N1683 2N1683 2N1683 КТ315Ж КТ814А і КТ815А КТ814А і КТ815А
Схема включення Одно- контурне, комбіноване Резонансний по схемі ЗЕ З сумісним гетеродином Аперіодич-ний по схемі ЗЕ Послідовний амплітудний Аперіо- дичний по схемі ЗЕ Двохтактний безтрансфор-маторний
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
56

К232.090101.000 ПЗ
Література
Книги:
Один автор Головин О.В. «Радиоприемные устройства», Москва
«Высшая школа» 1987 р.
Бобров «Расчет радиоприемников», Москва «Радио и связь» 1981 р.
Петренко Т.А. Радіоприймальні пристрої. К., Вища школа, 2001 р.
Два автори Экимов В.Д., Павлов «Расчет радиоприемников» «Связь» 1970 р.
Бережнев К.М., Гакман Е.И. «Траезисторы для апаратуры широкого применения», Москва «Радио и свіязь» 1981 р.
Титце Г.К., Шенк Н. Л. «Полупроводниковая схемотехніка», Москва «Мир» 1983 р.
Довідникова література Терещук Р.М., Терещук К.М., Сєдов С.А. «Полупроводниковые приемно-усилительные устройства», Киев «Наукова думка» 1981 р.
Горюнов Н.Н. «Полупроводниковые приборы – транзисторы», Москва «Связь» 1985 р.
Алексеева И.Н. «Справочные материалы по полупроводниковых приборах», Москва «Патриот» 1983 р.
Стандарти ГОСТ 5651 – 82 «Устройства радиоприемные бытовые».
Методичка Методичні рекомендації до курсового проекту Чернівецький політехнічний коледж, 2008 р.
Петренко Т.А. Методичні вказівки до курсового проекту по курсу «Радіоприймальні пристрої» Вінниця, Технічний коледж, 2004 р.
Змн.
Арк.
№Документа
Підпис
Дата
Арк._
Арк._
57

К232.090101.000 ПЗ
ДОДАТОК

Приложенные файлы

  • docx 17872645
    Размер файла: 1 MB Загрузок: 0

Добавить комментарий